70V639S12BFI8
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Artikelnummer: | 70V639S12BFI8 |
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Hersteller / Marke: | IDT (Renesas Electronics Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1000+ | $197.0266 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 12ns |
Spannungsversorgung | 3.15V ~ 3.45V |
Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 208-CABGA (15x15) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 208-LFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 2.25Mbit |
Speicherorganisation | 128K x 18 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Grundproduktnummer | 70V639 |
Zugriffszeit | 12 ns |
70V639S12BFI8 Einzelheiten PDF [English] | 70V639S12BFI8 PDF - EN.pdf |
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP
IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP
IC SRAM 2.25MBIT PAR 128TQFP
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208CABGA
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IC SRAM 2.25MBIT PAR 256CABGA
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IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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